MMBT5550LT3G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5550LT3G onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT5550LT3G за ціною від 1.24 грн до 13.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V |
на замовлення 113261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 99923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5550LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |