MMBT5550LT1G ON Semiconductor
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 1.05 грн до 11.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 53139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Power dissipation: 0.225/0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 20...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
на замовлення 3013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V |
на замовлення 129482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Power dissipation: 0.225/0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 20...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 80227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 53139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |