MMBT5089LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5089LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT5089LT1G за ціною від 1.61 грн до 18.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 1119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 101197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN |
на замовлення 523747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G |
транзистор npn SOT-23 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G Код товару: 191280 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |