Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.38 грн до 17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Mounting: SMD Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 37800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Mounting: SMD Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 63733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |