Продукція > DIODES > MMBT3906-7

MMBT3906-7 DIODES


DS_31_MMBT3906.pdf Виробник: DIODES
09+
на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906-7 DIODES

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MMBT3906-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT3906-7 Виробник : DIODES DS_31_MMBT3906.pdf SOT23
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT3906-7 MMBT3906-7 Виробник : Diodes Incorporated DS_31_MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
MMBT3906-7 MMBT3906-7 Виробник : Diodes Incorporated DS_31_MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
MMBT3906-7 MMBT3906-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30059-1164704.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 300mW
товар відсутній