Продукція > ONSEMI > MMBT3416LT3G
MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G ONSEMI

ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.59 грн
10000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3416LT3G ONSEMI

Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT3416LT3G за ціною від 1.05 грн до 13.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3192+3.78 грн
3226+ 3.74 грн
6411+ 1.88 грн
6579+ 1.77 грн
8475+ 1.27 грн
15000+ 1.21 грн
30000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3192
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+6.72 грн
142+ 4.21 грн
302+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 89
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.03 грн
37+ 8.04 грн
100+ 4.34 грн
500+ 3.2 грн
1000+ 2.22 грн
2000+ 1.84 грн
5000+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.17 грн
76+ 7.95 грн
86+ 7.01 грн
168+ 3.43 грн
250+ 3.13 грн
500+ 2.97 грн
1000+ 1.5 грн
3000+ 1.46 грн
6000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : onsemi MMBT3416LT3_D-2316123.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
на замовлення 152526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.82 грн
42+ 7.68 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 1.81 грн
2500+ 1.53 грн
10000+ 1.32 грн
20000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+13.34 грн
88+ 8.89 грн
192+ 4.06 грн
500+ 1.59 грн
10000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 59
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT3416LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21739+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 21739
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній