![MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2369ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBT2369ALT1G за ціною від 1.32 грн до 16.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 40134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT2369ALT1G-- |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
MMBT2369ALT1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |