MMBT100 ON Semiconductor
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4808+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT100 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBT100 за ціною від 2.02 грн до 28.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 69291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 341908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 57573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 69291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT100 | Виробник : MOT |
SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBT100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |