на замовлення 2124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4156+ | 2.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF170-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBF170-7-F за ціною від 1.85 грн до 28.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 2349000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF170-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF170-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBF170-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 2355882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 225mW |
на замовлення 33996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBF170-7F |
на замовлення 120676 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF170-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |