на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8518.48 грн |
12+ | 7874.25 грн |
30+ | 6709.88 грн |
54+ | 6599.77 грн |
102+ | 6350.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MKI50-12F7 IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MKI50-12F7 за ціною від 7763.38 грн до 7763.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 700 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 350W Topology: H-bridge Technology: HiPerFRED™; NPT Case: E2-Pack Application: motors Power dissipation: 350W Collector current: 45A Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
MKI50-12F7 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 350000mW 12-Pin |
товар відсутній |
||||||
MKI50-12F7 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 350W Topology: H-bridge Technology: HiPerFRED™; NPT Case: E2-Pack Application: motors Power dissipation: 350W Collector current: 45A Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |