MKI50-06A7T IXYS

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 50A
Case: E2-Pack
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: NPT
Topology: H-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 225W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MKI50-06A7T IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 50A, Case: E2-Pack, Pulsed collector current: 100A, Collector current: 50A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Technology: NPT, Topology: H-bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Application: for UPS; motors, Power dissipation: 225W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MKI50-06A7T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
MKI50-06A7T	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2	товар відсутній
MKI50-06A7T	Виробник : IXYS	Discrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V	товар відсутній
MKI50-06A7T	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 600V; Ic: 50A Case: E2-Pack Pulsed collector current: 100A Collector current: 50A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: NPT Topology: H-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for UPS; motors Power dissipation: 225W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT	товар відсутній