![MJH11017G MJH11017G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
MJH11017G ON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 408.13 грн |
10+ | 385.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJH11017G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJH11017G - Darlington-Transistor, PNP, 150 V, 150 W, 15 A, TO-218, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-218, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJH11017G за ціною від 172.83 грн до 449.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJH11017G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-218 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 150V; 15A; 150W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 150 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJH11017G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 150V; 15A; 150W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
товар відсутній |