![MJF44H11G MJF44H11G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/13677a6a6b7c2f6a2e51aa8b55143e58ea64bdc9/to-220full-pak-3.jpg)
MJF44H11G ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 132.72 грн |
100+ | 103.54 грн |
500+ | 94.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF44H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MJF44H11G за ціною від 47.98 грн до 148.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJF44H11G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MJF44H11G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJF44H11G Код товару: 169245 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220FP Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar |
товар відсутній |