MJE800 ON Semiconductor
![ONSM-S-A0003166861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 13.87 грн |
100+ | 9.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE800 ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3.
Інші пропозиції MJE800
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
MJE800 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MJE800 | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |