![MJD6039T4G MJD6039T4G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO252-40.jpg)
MJD6039T4G ONSEMI
![1576018.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 41.9 грн |
500+ | 36.81 грн |
2500+ | 31.96 грн |
5000+ | 30.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD6039T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 20.42 грн до 68.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 22160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD6039T4G |
![]() |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD6039T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |