MJD47G

MJD47G onsemi


mjd47-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.92 грн
10+ 53.23 грн
100+ 36.85 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 24.59 грн
2000+ 21.9 грн
5000+ 20.41 грн
10000+ 18.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD47G onsemi

Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJD47G за ціною від 14.29 грн до 69.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD47G MJD47G Виробник : onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.43 грн
10+ 64.44 грн
75+ 31.63 грн
525+ 27.25 грн
1050+ 22.25 грн
2400+ 21.69 грн
4800+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD47G MJD47G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299393-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD47G Виробник : ON-Semicoductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJD47G MJD47G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
MJD47G MJD47G Виробник : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
MJD47G MJD47G Виробник : ONSEMI MJD50T4G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...150
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJD47G MJD47G Виробник : ONSEMI MJD50T4G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...150
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
товар відсутній