MJD45H11T4 STMicroelectronics
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 390+ | 31.05 грн |
| 406+ | 29.8 грн |
| 500+ | 28.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MJD45H11T4 за ціною від 20.42 грн до 77.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 Код товару: 89434 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
MJD45H11T4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD45H11T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |