Продукція > ONSEMI > MJD45H11G
MJD45H11G

MJD45H11G ONSEMI

MJD44H11_MJD45H11.PDF Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+63.87 грн
10+ 53.43 грн
20+ 42.43 грн
55+ 40.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD45H11G за ціною від 16.03 грн до 80.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi MJD44H11_D-2315885.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 22309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.87 грн
10+ 66.52 грн
75+ 43.28 грн
525+ 37.35 грн
1050+ 28.64 грн
2400+ 28.57 грн
4800+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.39 грн
75+ 58.39 грн
150+ 46.26 грн
525+ 36.8 грн
1050+ 29.98 грн
2025+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 20W
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.65 грн
10+ 66.58 грн
20+ 50.91 грн
55+ 48.14 грн
750+ 46.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ONSEMI mjd44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.52 грн
16+ 49.72 грн
100+ 46.36 грн
500+ 39.85 грн
1000+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+18.53 грн
37+ 17.28 грн
100+ 16.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
MJD45H11G Виробник : ONS mjd44h11-d.pdf Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.89 грн
14+ 20.3 грн
100+ 16.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD45H11G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+37 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJD45H11G Виробник : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MJD45H11G
Код товару: 154281 		mjd44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
MJD45H11G MJD45H11G Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній