![MJD45H11-1G MJD45H11-1G](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/DPAK_3_case_369C_DSL.jpg)
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.12 грн |
10+ | 70.13 грн |
75+ | 44.95 грн |
525+ | 38.12 грн |
1050+ | 31.01 грн |
1950+ | 27.81 грн |
5850+ | 27.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD45H11-1G onsemi
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MJD45H11-1G за ціною від 20.28 грн до 96.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G Код товару: 99387 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK3 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz кількість в упаковці: 75 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MJD45H11-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK3 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
товар відсутній |