MJD42C1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 58.1 грн |
| 20+ | 39.15 грн |
| 100+ | 35.1 грн |
| 500+ | 28.75 грн |
| 1000+ | 22.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD42C1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції MJD42C1G за ціною від 25.24 грн до 70.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD42C1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD42C1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD42C1G Код товару: 170554 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MJD42C1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD42C1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |