MJD350T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.69 грн |
| 5000+ | 18.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD350T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD350T4G за ціною від 16.82 грн до 65.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD350T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD350T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 10376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD350T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP |
на замовлення 3580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD350T4G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 37901 |
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: D-Pak fT: 10 MHz Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
MJD350T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD350T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| MJD350T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Mounting: SMD Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...240 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| MJD350T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK Mounting: SMD Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 30...240 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: DPAK |
товар відсутній |