Продукція > ONSEMI > MJD32T4G
MJD32T4G

MJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.29 грн
5000+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD32T4G за ціною від 21.81 грн до 66.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 44 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.14 грн
10+ 59.63 грн
100+ 37.28 грн
500+ 31.22 грн
1000+ 25.3 грн
2500+ 22.86 грн
10000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 57.42 грн
100+ 44.76 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32T4G MJD32T4G Виробник : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній