MJB45H11G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.62 грн |
50+ | 86.94 грн |
100+ | 74.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB45H11G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJB45H11G за ціною від 36.88 грн до 112.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJB45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJB45H11G |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MJB45H11G Код товару: 105006 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MJB45H11G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |