MJB42CT4G ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1600+ | 32.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB42CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJB42CT4G за ціною від 28.99 грн до 94.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB42CT4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJB42CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB42CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D²PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJB42CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJB42CT4G | Виробник : ON |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJB42CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |