MJB41CT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 50.34 грн |
| 1600+ | 39.49 грн |
| 2400+ | 37.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJB41CT4G onsemi
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJB41CT4G за ціною від 37.28 грн до 112.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJB41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 4399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 452-461 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJB41CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |