MJ11032G

MJ11032G onsemi


mj11028-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+958.1 грн
10+ 812.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJ11032G onsemi

Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJ11032G за ціною від 615.27 грн до 1056.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJ11032G MJ11032G Виробник : onsemi MJ11028_D-2315929.pdf Darlington Transistors 50A 120V Bipolar Power NPN
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1056.85 грн
10+ 904.23 грн
20+ 723.03 грн
50+ 722.33 грн
100+ 679.23 грн
200+ 650.72 грн
500+ 615.27 грн
MJ11032G (транзистор біполярний NPN) MJ11032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 39271
Виробник : ON Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 50 A
h21: 1000-18000
Примітка: Дарлінгтон
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ON Semiconductor mj11028-d.pdf Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ON Semiconductor mj11028-d.pdf Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ON Semiconductor mj11028-d.pdf Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ONSEMI MJ11032G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJ11032G MJ11032G Виробник : ONSEMI MJ11032G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товар відсутній