![MJ11032G MJ11032G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/837/488-TO-3%2CTO-204AA%2CSIDE.jpg)
MJ11032G onsemi
![mj11028-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 958.1 грн |
10+ | 812.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11032G onsemi
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJ11032G за ціною від 615.27 грн до 1056.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJ11032G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1691 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 39271 |
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3 Uceo,V: 120 V Ucbo,V: 120 V Ic,A: 50 A h21: 1000-18000 Примітка: Дарлінгтон |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
товар відсутній |