на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.33 грн |
| 10+ | 370.27 грн |
| 50+ | 304.55 грн |
| 100+ | 275.28 грн |
| 200+ | 259.25 грн |
| 600+ | 233.47 грн |
| 1000+ | 188.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11016G onsemi
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJ11016G за ціною від 184.95 грн до 690.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11016G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ11016G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ11016G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJ11016G Код товару: 173223 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
MJ11016G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
MJ11016G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
MJ11016G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
MJ11016G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
товар відсутній |