на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8605.63 грн |
| 10+ | 7677.6 грн |
| 25+ | 6488.46 грн |
| 50+ | 6361.24 грн |
| 100+ | 5755.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA61WB1200TEH IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 190A, Case: E3-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Technology: XPT™, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA61WB1200TEH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA61WB1200TEH | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 190A Case: E3-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: XPT™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MIXA61WB1200TEH | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 190A Case: E3-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Technology: XPT™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |