Технічний опис MIXA61H1200ED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W, Topology: H-bridge, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Case: E2-Pack, Application: motors; photovoltaics, Power dissipation: 290W, Collector current: 60A, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Pulsed collector current: 150A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA61H1200ED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Topology: H-bridge Technology: Sonic FRD™; XPT™ Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Power dissipation: 290W Collector current: 60A Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 150A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MIXA61H1200ED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 290W Topology: H-bridge Technology: Sonic FRD™; XPT™ Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Power dissipation: 290W Collector current: 60A Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Pulsed collector current: 150A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |