на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6757.04 грн |
| 12+ | 5906.24 грн |
| 102+ | 4671.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA60W1200TED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 60A, Case: E2-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 290W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA60W1200TED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MIXA60W1200TED | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 85A Box |
товар відсутній |
||
| MIXA60W1200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MIXA60W1200TED | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 60A |
товар відсутній |
||
| MIXA60W1200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 60A Case: E2-Pack Application: motors; photovoltaics Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 290W Technology: Sonic FRD™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |