на замовлення 6 шт:
термін постачання 539-548 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5435.78 грн |
| 12+ | 5089.78 грн |
| 30+ | 4309.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA40W1200TED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Application: motors; photovoltaics, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Pulsed collector current: 105A, Power dissipation: 195W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA40W1200TED за ціною від 5119.88 грн до 5119.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIXA40W1200TED | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| MIXA40W1200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 105A Power dissipation: 195W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| MIXA40W1200TED | Виробник : Littelfuse |
SIX-PACK XPT IGBT |
товар відсутній |
||||||
| MIXA40W1200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 105A Power dissipation: 195W |
товар відсутній |