на замовлення 12 шт:
термін постачання 539-548 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5073.53 грн |
12+ | 4750.19 грн |
30+ | 4022.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIXA30W1200TED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Application: motors; photovoltaics, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 150W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MIXA30W1200TED
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MIXA30W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
MIXA30W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
||
MIXA30W1200TED | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Application: motors; photovoltaics Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Sonic FRD™; XPT™ Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 150W |
товар відсутній |