Продукція > IXYS > MIXA30W1200TED
MIXA30W1200TED

MIXA30W1200TED IXYS


MIXA30W1200TED-1549309.pdf Виробник: IXYS
IGBT Modules Six-Pack XPT IGBT
на замовлення 12 шт:

термін постачання 539-548 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5073.53 грн
12+ 4750.19 грн
30+ 4022.58 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA30W1200TED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Application: motors; photovoltaics, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 150W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MIXA30W1200TED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MIXA30W1200TED Виробник : IXYS MIXA30W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIXA30W1200TED Виробник : IXYS MIXA30W1200TED.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
товар відсутній
MIXA30W1200TED Виробник : IXYS MIXA30W1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Application: motors; photovoltaics
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 150W
товар відсутній