Продукція > IXYS > MIXA20WB1200TED
MIXA20WB1200TED

MIXA20WB1200TED IXYS


MIXA20WB1200TED.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 28A 100W E2
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5173.86 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MIXA20WB1200TED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 20A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 20A, Case: E2-Pack, Application: motors; photovoltaics, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 100W, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MIXA20WB1200TED за ціною від 3723.74 грн до 5498.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MIXA20WB1200TED MIXA20WB1200TED Виробник : IXYS media-3321591.pdf IGBT Modules Converter-Brake Inverter Module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5498.1 грн
12+ 4989.55 грн
30+ 3935.3 грн
54+ 3794.73 грн
102+ 3723.74 грн
MIXA20WB1200TED Виробник : IXYS MIXA20WB1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 20A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Case: E2-Pack
Application: motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 100W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIXA20WB1200TED Виробник : IXYS MIXA20WB1200TED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 20A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Case: E2-Pack
Application: motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 100W
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Mechanical mounting: screw
товар відсутній