Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor

mgsf2n02el-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MGSF2N02ELT1G за ціною від 6.62 грн до 37.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.15 грн
500+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI MGSF2N02EL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.51 грн
28+ 13.36 грн
84+ 10.09 грн
229+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi MGSF2N02EL_D-2315656.pdf MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.07 грн
13+ 25.81 грн
100+ 12.41 грн
1000+ 8.64 грн
3000+ 6.97 грн
9000+ 6.69 грн
24000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.6 грн
29+ 27.28 грн
100+ 14.15 грн
500+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI MGSF2N02EL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.81 грн
25+ 16.65 грн
84+ 12.11 грн
229+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
товар відсутній
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
товар відсутній
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
товар відсутній