Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

mgsf1n03lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MGSF1N03LT1G за ціною від 9.27 грн до 37.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.92 грн
6000+ 9.98 грн
9000+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.34 грн
500+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 24828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.42 грн
11+ 26.64 грн
100+ 18.54 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFET 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 117578 шт:
термін постачання 646-655 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.12 грн
11+ 29.97 грн
100+ 19.44 грн
500+ 15.33 грн
1000+ 11.78 грн
3000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.53 грн
25+ 31.98 грн
100+ 21.34 грн
500+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ROHS SOT-23
на замовлення 90003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGSF1N03LT1G Виробник : ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ SOP-8
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній