Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > MG35P12P3
MG35P12P3

MG35P12P3 Yangjie Technology

Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules P3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+3508.16 грн
120+ 3190.54 грн
240+ 3002.83 грн
480+ 2641.96 грн
960+ 2377.76 грн
2400+ 2201.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG35P12P3 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules P3, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 215 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MG35P12P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MG35P12P3 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY MG35P12P3-YAN IGBT modules
товару немає в наявності