MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MG12150S-BN2MM Littelfuse Inc.
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 150A, Case: Y4-M5, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MG12150S-BN2MM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse |
 IGBT Modules 1200V 150A Dual |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
MG12150S-BN2MM | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW 7-Pin Bulk |
товар відсутній |
|
| MG12150S-BN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: Y4-M5 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MG12150S-BN2MM | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: Y4-M5 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |