Продукція > IXYS > MDNA360UB2200PTED
MDNA360UB2200PTED

MDNA360UB2200PTED IXYS


MDNA360UB2200PTED.pdf Виробник: IXYS
Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
Packaging: Tray
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E2
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Current - Average Rectified (Io): 360 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 360 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13783.62 грн
10+ 12432.01 грн
28+ 11964.6 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDNA360UB2200PTED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Case: E2-Pack, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 135A, Pulsed collector current: 280A, Electrical mounting: Press-in PCB, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MDNA360UB2200PTED за ціною від 13484.58 грн до 14605.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MDNA360UB2200PTED MDNA360UB2200PTED Виробник : IXYS media-3319890.pdf Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
на замовлення 54 шт:
термін постачання 689-698 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14605.01 грн
10+ 13484.58 грн
MDNA360UB2200PTED Виробник : Littelfuse media.pdf High Voltage Standard Rectifier Module
товар відсутній
MDNA360UB2200PTED Виробник : IXYS MDNA360UB2200PTED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 135A
Pulsed collector current: 280A
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MDNA360UB2200PTED Виробник : IXYS MDNA360UB2200PTED.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 135A
Pulsed collector current: 280A
Electrical mounting: Press-in PCB
товар відсутній