MDNA360UB2200PTED IXYS
![MDNA360UB2200PTED.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
Packaging: Tray
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E2
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Current - Average Rectified (Io): 360 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 360 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13783.62 грн |
10+ | 12432.01 грн |
28+ | 11964.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDNA360UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Case: E2-Pack, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 135A, Pulsed collector current: 280A, Electrical mounting: Press-in PCB, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MDNA360UB2200PTED за ціною від 13484.58 грн до 14605.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 54 шт: термін постачання 689-698 дні (днів) |
|
||||||
MDNA360UB2200PTED | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||
MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Case: E2-Pack Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 135A Pulsed collector current: 280A Electrical mounting: Press-in PCB кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Case: E2-Pack Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 135A Pulsed collector current: 280A Electrical mounting: Press-in PCB |
товар відсутній |