Продукція > IXYS > MDNA280UB2200PTED

MDNA280UB2200PTED IXYS

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDNA280UB2200PTED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Case: E2-Pack, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 200A, Electrical mounting: Press-in PCB, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MDNA280UB2200PTED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
товар відсутній
MDNA280UB2200PTED MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS MDNA280UB2200PTED-1623243.pdf Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
товар відсутній
MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Case: E2-Pack
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
товар відсутній