MCU65N10Y-TP

MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co


MCU65N10Y(DPAK).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V.

Інші пропозиції MCU65N10Y-TP за ціною від 50.62 грн до 117.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Co MCU65N10Y(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.99 грн
10+ 94.33 грн
100+ 75.12 грн
500+ 59.66 грн
1000+ 50.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCU65N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components mcu65n10ydpak.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCU65N10Y_DPAK_-3365663.pdf MOSFET
товар відсутній