MCNA120UI2200PED IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper
Case: E2-Pack
Collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper
Case: E2-Pack
Collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCNA120UI2200PED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper, Case: E2-Pack, Collector current: 80A, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1.7kV, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Pulsed collector current: 150A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCNA120UI2200PED
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MCNA120UI2200PED | Виробник : IXYS | Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR E2-P |
товар відсутній |
||
![]() |
MCNA120UI2200PED | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
MCNA120UI2200PED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper Case: E2-Pack Collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.7kV Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Pulsed collector current: 150A |
товар відсутній |