MCH3333A-TL-W ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH3333A-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.165 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - MCH3333A-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.165 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 31.82 грн |
31+ | 25.27 грн |
100+ | 15.83 грн |
500+ | 9.78 грн |
3000+ | 7.89 грн |
9000+ | 7.69 грн |
24000+ | 7.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCH3333A-TL-W ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH3333A-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.165 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції MCH3333A-TL-W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MCH3333A-TL-W | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3 |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
MCH3333A-TL-W | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET PCH 2.5V Power MOSFE |
на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
MCH3333A-TL-W | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
MCH3333A-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 5020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
MCH3333A-TL-W | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin MCPH T/R |
товар відсутній |