Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MCG55P02A-TP
MCG55P02A-TP

MCG55P02A-TP Micro Commercial Co

MCG55P02A(DFN3333).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6358 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.01 грн
10000+ 37.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCG55P02A-TP Micro Commercial Co

Description: P-CHANNEL MOSFET, DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6358 pF @ 10 V.

Інші пропозиції MCG55P02A-TP за ціною від 38.06 грн до 99.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCG55P02A-TP MCG55P02A-TP Виробник : Micro Commercial Co MCG55P02A(DFN3333).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6358 pF @ 10 V
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.51 грн
10+ 85.44 грн
100+ 66.62 грн
500+ 51.65 грн
1000+ 40.77 грн
2000+ 38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCG55P02A-TP Виробник : Micro Commercial Components mcg55p02adfn3333.pdf P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
товар відсутній