на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9877.93 грн |
| 10+ | 9234.31 грн |
| 30+ | 7811 грн |
| 120+ | 7472.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB60I1200TZ-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 70A, Case: TO268AAHV, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 160C, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCB60I1200TZ-TUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB60I1200TZ-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A Case: TO268AAHV On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MCB60I1200TZ-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A Case: TO268AAHV On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |