MCB30P1200LB-TRR IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 200 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB30P1200LB-TRR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 38A, Case: SMPD-B, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 52mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 115nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 200 шт.
Інші пропозиції MCB30P1200LB-TRR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB30P1200LB-TRR | Виробник : IXYS | Description: MCB30P1200LB-TRR |
товар відсутній |
||
| MCB30P1200LB-TRR | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET phaseleg 40mO SMPD-B |
товар відсутній |
||
| MCB30P1200LB-TRR | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 38A Case: SMPD-B Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series |
товар відсутній |