на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6220.23 грн |
| 10+ | 5825.16 грн |
| 20+ | 4931.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB20P1200LB-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25.5A, Case: SMPD-B, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 98mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 62nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCB20P1200LB-TUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB20P1200LB-TUB | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET SiC 1.2KV 9-Pin SMPD Tube |
товар відсутній |
||
 |
MCB20P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A Case: SMPD-B Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
MCB20P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A Case: SMPD-B Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series |
товар відсутній |