Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MCB110N10Y-TP
MCB110N10Y-TP

MCB110N10Y-TP Micro Commercial Co

MCB110N10Y(D2-PAK).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCB110N10Y-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції MCB110N10Y-TP за ціною від 136.32 грн до 303.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCB110N10Y-TP MCB110N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Co MCB110N10Y(D2-PAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.25 грн
10+ 192.88 грн
100+ 136.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCB110N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components mcb110n10yd2-pak.pdf MCB110N10Y-TP
товару немає в наявності
MCB110N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCB110N10Y(D2-PAK).pdf MOSFET
товару немає в наявності