MCAC90N10Y-TP Micro Commercial Components (MCC)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.34 грн |
| 10+ | 109 грн |
| 100+ | 75.96 грн |
| 250+ | 72.48 грн |
| 500+ | 63.07 грн |
| 1000+ | 51.36 грн |
| 5000+ | 49.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCAC90N10Y-TP Micro Commercial Components (MCC)
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції MCAC90N10Y-TP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MCAC90N10Y-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
 Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
MCAC90N10Y-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 120W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|
|
|
MCAC90N10Y-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 120W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
товар відсутній |