MCAC10H03A-TP

MCAC10H03A-TP Micro Commercial Co


MCAC10H03A(DFN5060).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3865 pF @ 15 V
на замовлення 4899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.59 грн
10+ 55.32 грн
100+ 42.42 грн
500+ 31.48 грн
1000+ 25.18 грн
2000+ 22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCAC10H03A-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 49W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3865 pF @ 15 V.

Інші пропозиції MCAC10H03A-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCAC10H03A-TP MCAC10H03A-TP Виробник : Micro Commercial Components mcac10h03adfn5060.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MCAC10H03A-TP MCAC10H03A-TP Виробник : Micro Commercial Co MCAC10H03A(DFN5060).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3865 pF @ 15 V
товар відсутній