![MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/50112e4b8bf2674a5343bea3e1167a04f2847d7b/sc6.jpg)
MBT3904DW1T3G ON Semiconductor
на замовлення 11309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2799+ | 4.32 грн |
2953+ | 4.09 грн |
4688+ | 2.58 грн |
5068+ | 2.3 грн |
7463+ | 1.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT3904DW1T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T3G - TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Surface Mount, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Dual NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MBT3904DW1T3G за ціною від 1.29 грн до 16.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 17563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 88937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Surface Mount Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Dual NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - directShipCharge: 25 Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3904DW1T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
товар відсутній |